13.EXB841厚膜驱动电路的工作原理怎样？

EXB841厚膜驱动电路原理图如图1-6所示，其工作分为以下3个过程。

1）正常开通过程

当光耦二极管导通时，VT2截止，D点高电平，VT4导通，VT5截止，VT1截止，电源经R3向C2充电，充电时间常数τ1=R3C2=2.42μs，B点电位上升，电压由零升到13V的时间t由下式求出。

图1-6 EXB841厚膜驱动电路原理图

得到t=2.54μs。由于IGBT已在1μs时导通，6脚电位钳制在8V，即C点电位为8V。

2）正常关断过程

光耦截止，VT2导通，VT4截止，VT5导通，IGBT栅极电荷经VT5迅速放电，IGBT截止，加-5V电压使IGBT可靠截止。

3）保护动作

正常导通时，C点电位为8V，W2不被击穿，VT3不导通，E点电位保持20V，二极管VD1截止。若发生短路，二极管VD2截止，C点电位开始上升；至13V时，W2击穿，VT3导通，C4通过R7放电，E点电位逐渐下降，二极管VD1导通，D点电位也逐渐下降，缓慢关断IGBT。

发生过流后的动作时间如下。

C点电位由8V上升至13V的时间为

E点由20V下降到3.6V的时间为

式中τ2=C4R7=4.84μs。

保持这种状态直到控制信号使光耦截止，IGBT截止。VT1导通使C2迅速放电，VT3截止，20V电源通过R8对C4充电，时间常数为τ3=C4R7=4.84μs，则E点由3.6V升至19V的时间为

保护动作后需135μs，EXB841完全恢复到正常状态，为下一次保护动作做好准备。