32.IGBT有哪些主要形式和技术参数？

IGBT产品有多种形式，主要分为模块型和芯片型两大类。模块化结构有一单元（一个IGBT与一个续流二极管反向并联）、二单元、四单元、六单元及七单元，高压IGBT有模块、平板和片状IGBT元件。常用的IGBT模块内部结构如图1-9所示。

IGBT的主要参数如下。

（1）集电极-发射极额定电压UCES。这是生产厂家根据器件的雪崩击穿电压而规定的电压值，是栅极-发射极短路时IGBT能够承受的耐压值。一般UCES小于或等于雪崩击穿电压。

（2）栅极-发射极额定电压UGES。IGBT是电压控制器件，靠加在栅极的电压信号控制它的导通和关断，而UGES就是栅极控制信号的电压额定值。目前，IGBT的UGES值大部分为+20V。

图1-9 常用的IGBT模块内部结构

（3）额定集电极电流IC。这个参数表示IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。目前，市场上IGBT模块的电流可达1000A以上。

（4）集电极-发射极饱和电压UCE（sat）。这个参数给出IGBT在正常饱和导通时集电极-发射极之间的电压降，这个值越小，管子的功率损耗就越小。

（5）开关频率。IGBT的一个非常重要的优点就是开关频率高。在IGBT的使用说明书中，开关频率是以导通时间ton、下降时间tf和关断时间toff形式给出的，根据这些参数可估算出IGBT的开关频率。最新的IGBT产品有高速开关系列（如富士公司生产的L系列）和低导通电压系列（如富士公司的F系列）产品。它们的开关时间还与集电极电流IC、运行温度和栅极电阻RG有关。当RG增大，运行温度升高时，开关时间增大，开关频率降低。一般IGBT的实际工作频率都在100kHz以下，开关频率高是IGBT模块的一个重要优点。