1.2 全控型电力电子器件

1.2.1 门极可关断晶闸管（GTO）

门极可关断晶闸管（Gate Turn Off Thyristor，GTO）具有普通晶闸管的全部特性，如耐压高（工作电压可高达6000V）、电流大（电流可达6000A）以及造价便宜等，同时它又具有门极正脉冲信号触发导通、门极负脉冲信号触发关断的特性。在它的内部有电子和空穴两种载流子参与导电，所以它属于全控双极型器件。它的电气图形符号如图1-6所示，有阳极A、阴极K和门极G三个电极。

1．GTO的基本工作原理

GTO的工作原理与普通晶闸管相似，其结构也可以等效看成是由一个PNP晶体管和一个N P N晶体管组成的反馈电路。两个等效晶体管的电流放大倍数分别为α1和α2。GTO触发导通的条件是：当它的阳极与阴极之间承受正向电压，门极加正脉冲信号（门极为正，阴极为负）时，可使α1+α2＞1，从而在其内部形成电流正反馈，使两个等效晶体管接近临界饱和的导通状态。

导通后的管压降比较大，一般为2～3V。只要在GTO的门极加负脉冲信号，即可将其关断。GTO采取了特殊工艺，使管子导通后处于接近临界饱和状态。因此，当GTO的门极加负脉冲信号（门极为负，阴极为正）时，门极出现反向电流，此反向电流将GTO的门极电流抽出，使其电流减小，α1和α2也同时下降，以致无法维持正反馈，从而使GTO关断。普通晶闸管导通时处于深度饱和状态，用门极抽出电流无法使其关断，而GTO处于临界饱和状态，因此可用门极负脉冲信号破坏临界状态使其关断。

由于GTO门极可关断，关断时，可在阳极电流下降的同时再施加逐步上升的电压，不像普通晶闸管关断时是在阳极电流等于零后才能施加电压的。因此，GTO关断期间功耗较大。另外，因为导通压降较大，门极触发电流较大，所以GTO的导通功耗与门极功耗均比普通晶闸管大。

2．GTO的特定参数

GTO的基本参数与普通晶闸管大多相同，现将不同的主要参数介绍如下。

1）最大可关断阳极电流IATO

GTO的最大阳极电流除了受发热温升限制外，还会由于管子阳极电流IA过大使α1+α2稍大于1的临界导通条件被破坏，管子饱和加深，导致门极关断失败，因此，GTO必须规定一个最大可关断阳极电流IATO，也就是管子的铭牌电流。IATO与管子电压上升率、工作频率、反向门极电流峰值和缓冲电路参数有关，在使用中应予以注意。

2）关断增益βq

该参数是用来描述GTO关断能力的。关断增益βq为最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比，即

目前大功率GTO的关断增益为3～5。采用适当的门极电路，很容易获得上升率较快、幅值足够大的门极负电流，因此在实际应用中不必追求过高的关断增益。

3）掣住电流IL

与普通晶闸管定义一样，IL是指门极加触发信号后，阳极大面积饱和导通时的临界电流。GTO由于工艺结构特殊，其IL要比普通晶闸管大得多，因而在加电感性负载时必须有足够的触发脉冲宽度。

GTO有能承受反压和不能承受反压两种类型，在使用时要特别注意。

国产50A GTO的技术参数参见表1-1。

3．GTO的缓冲电路

GTO设置缓冲电路的目的有以下两个。

1）减轻GTO在开、关过程中的功耗

为了降低导通时的功耗，必须抑制GTO导通时阳极电流的上升率。GTO关断时会出现溢流现象，即局部因电流密度过高导致瞬时温度过高，甚至使GTO无法关断，为此必须在管子关断时抑制电压上升率。

2）抑制静态电压上升率

过高的电压上升率会使GTO因位移电流产生误导通。图1-7为GTO的阻容缓冲电路，其电路形式和工作原理与普通晶闸管电路基本相似。图1-7（a）只能用于小电流电路；图1-7（b）与图1-7（c）是较大容量GTO电路中常见的缓冲电路，其二极管尽量选用快速型、接线短的二极管，这将使缓冲电路阻容效果更显著。

4．GTO的门极驱动电路

利用门极正脉冲信号可使GTO导通，门极负脉冲信号可以使其关断，这是GTO最大的优点，但要使GTO关断所需的门极反向电流比较大，约为阳极电流的1/5。尽管采用高幅值的窄脉冲信号可以减少关断所需的能量，但还是需要采用专门的触发驱动电路。

图1-8（a）所示为小容量GTO门极驱动电路，属于电容储能电路。工作原理是利用正向门极电流向电容充电触发GTO导通；当关断时，电容储能释放形成门极关断电流。图中+EC是电路的工作电源，U1为控制电压。当U1=0时，复合管VT1、VT2饱和导通，VT3、VT4截止，电源EC对电容C充电，形成正向门极电流，触发GTO导通；当U1＞0时，复合管VT3、VT4饱和导通，电容C沿VD1、VT4放电，形成门极反向电流，使GTO关断，放电电流在VD1上的压降保证了VT1、VT2截止。

图1-8（b）是一种桥式驱动电路。当在晶体管VT1、VT3的基极加控制电压使它们饱和导通时，GTO触发导通；当在普通晶闸管VT2、VT4的门极加控制电压使其导通时，GTO关断。考虑到关断时门极电流较大，所以关断时用普通晶闸管组。晶体管组和晶闸管组是不能同时导通的。图中电感L的作用是在晶闸管阳极电流下降期间释放所储存的能量，补偿GTO的门极关断电流，提高关断能力。

上述两种触发电路都只能用于300A以下的GTO的导通，对于300A以上的GTO可用如图1-8（c）所示的触发电路来控制。当VT1、VD导通时，GTO导通；当VT2、VT导通时，GTO关断。由于控制电路与主电路之间用变压器进行隔离，GTO导通、关断时的电流不影响控制电路，所以提高了电路的容量，实现了用小电压对大电流电路的控制。

5．GTO的典型应用

GTO主要用于高电压、大功率的直流变换电路（即斩波电路）及逆变器电路中，如恒压恒频电源（CVCF）、常用的不停电电源（UPS）等。另一类GTO的典型应用是调频调压电源，即VVVF，此电源较多用于风机、水泵、轧机、牵引等交流变频调速系统中。

此外，由于GTO具有耐压高、电流大、开关速度快、控制电路简单方便等特点，因此还特别适用于汽油机点火系统。

如图1-9所示为一种用电感、电容关断GTO的点火电路。图中GTO为主开关，控制GTO导通与关断即可使脉冲变压器TP二次侧绕组产生瞬时高压，该电压使汽油机火花塞电极间隙产生火花。在晶体管VT的基极输入脉冲电压，低电平时，VT截止，电源对电容C充电，同时触发GTO。由于L和C组成LC谐振电路，C两端可产生高于电源的电压。脉冲电压为高电平时，晶体管VT导通，C放电并将其电压加于GTO门极，使GTO迅速、可靠地关断。R为限电流电阻，C1（0.5μF）与GTO并联，可限制GTO的电压上升率。

1.2.2 大功率晶体管（GTR）

大功率晶体管又可称为电力晶体管（Giant Transistor，GTR），通常指耗散功率（或输出功率）在1W以上的晶体管。GTR的电气图形符号与普通晶体管相同。图1-10所示为某晶体管厂生产的1300系列GTR的外观，它是一种双极型大功率高反压晶体管，具有自关断能力，控制方便，开关时间短，高频特性好，价格低廉。

目前，GTR的容量已达400A/1200V、1000A/400V，工作频率可达5kHz，模块容量可达1000A/1800V，频率为30kHz，因此也可被用于不停电电源、中频电源和交流电机调速等电力变流装置中。

1．GTR的极限参数

1）集电极最大电流ICM（最大电流额定值）

一般将直流电流放大倍数β下降到额定值的l/2～1/3时，集电极电流IC的值定为ICM。因此，通常IC的值只能到ICM的一半左右，使用时绝不能让IC值达到ICM，否则GTR的性能将变差。

2）集电极最大耗散功率PCM

PCM即GTR在最高集电结温度时所对应的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。这部分能量转化为热能使管温升高，在使用中要特别注意GTR的散热。如果散热条件不好，会促使GTR的平均寿命下降。实践表明，工作温度每增加20℃，平均寿命差不多下降一个数量级，有时会因温度过高而使GTR迅速损坏。

3）GTR的反向击穿电压

（1）集电极与基极之间的反向击穿电压UCBO：当发射极开路时，集电极-基极间能承受的最高电压。

（2）集电极与发射极之间的反向击穿电压UCEO：当基极开路时，集电极-发射极间能承受的最高电压。

当GTR的电压超过某一定值时，管子性能会发生缓慢、不可恢复的变化，这些微小变化逐渐积累，最后导致管子性能显著变差。因此，实际管子的最大工作电压应比反向击穿电压低得多。

4）最高结温TJ M

GTR的最高结温与半导体材料的性质、器件制造工艺、封装质量有关。一般情况下，塑封硅管的TJM为125～150℃；金封硅管的TJM为150～170℃；高可靠平面管的TJM为175～200℃。

2．二次击穿和安全工作区

1）二次击穿

处于工作状态的GTR，当其集电极反偏电压UCE逐渐增大到最大电压时，集电极电流IC急剧增大，但此时集电结的电压基本保持不变，这叫一次击穿，如图1-11所示。发生一次击穿时，如果有外接电阻限制电流IC的增大，一般不会引起GTR的特性变差。如果继续增大UCE，又不限制IC的增长，则当IC上升到A点（临界值）时，UCE突然下降，而IC继续增大（负阻效应），这时进入低压大电流段，直到管子被烧坏，这种现象称为二次击穿。

A点对应的电压USB和电流ISB称为二次击穿的临界电压和临界电流，其乘积称为二次击穿的临界功率PSB，即PSB=USBISB。当GTR的基极正偏时，二次击穿的临界功率PSB往往还小于PCM，但仍然能使GTR损坏。二次击穿的时间在微秒甚至纳秒数量级内，在这样短的时间内如果不采取有效保护措施，就会使GTR内出现明显的电流集中和过热点，轻者使器件耐压降低，特性变差；重者使集电结和发射结熔通，造成GTR永久性损坏。由于管子的材料、工艺等因素的分散性，二次击穿难以计算和预测。

GTR发生二次击穿损坏是它在使用中最大的弱点。要发生二次击穿，必须同时具备三个条件，即高电压、大电流及持续时间。因此，集电极电压、电流、负载性质、驱动脉冲宽度与驱动电路配置等都对二次击穿造成一定的影响。一般来说，工作在正常开关状态的GTR是不会发生二次击穿的。

2）安全工作区

安全工作区（Safe Operating Area，SOA）是指在输出特性曲线图上GTR能够安全运行的电流、电压的极限范围，如图1-12所示。二次击穿临界电压USB与二次击穿临界电流ISB组成的二次击穿临界功率PSB曲线如图中虚线所示，它是一个不等功率曲线。以3DD8E晶体管测试数据为例，其PCM=100W，UCEO≥200V，但由于受到二次击穿的限制，当UCE=100V时，PSB为60W；当UCE=200V时，PSB仅为28W。因此，为了防止二次击穿，要选用功率足够大的管子，实际使用的最高电压通常要比管子的极限电压低得多。图1-12中阴影部分即为SOA。

3．GTR的基极驱动电路及其保护电路

1）基极驱动电路

GTR基极驱动电路的作用是将控制电路输出的控制信号放大到足以保证GTR可靠导通和关断的程度。基极驱动电路的各项参数直接影响GTR的开关性能，因此根据主电路的需要正确选择和设计GTR的驱动电路是非常重要的。一般来说，人们希望基极驱动电路有如下功能：

① 提供全程的正、反向基极电流，以保证GTR可靠导通与关断，理想的基极驱动电流波形如图1-13所示。

② 实现主电路与控制电路的隔离。

③ 具有自动保护功能，以便在故障发生时快速自动切除驱动信号，避免损坏GTR。

④ 电路尽可能简单，工作稳定可靠，抗干扰能力强。

GTR驱动电路的形式很多，下面分别介绍几种，以供参考。

（1）简单的双电源驱动电路。

双电源驱动电路如图1-14所示，驱动电路与GTR（VT6）直接耦合，控制电路用光耦合实现电隔离，正、负电源（+UC2和−UC3）供电。当输入端S为低电位时，VT1～VT3导通，VT4、VT5截止，B点电压为负，给GTR基极提供反向基极电流，此时GTR（VT6）关断；当S端为高电位时，VT1～VT3截止，VT4、VT5导通，VT6流过正向基极电流，此时GTR开通。

（2）集成基极驱动电路。

THOMSON公司生产的UAA4002大规模集成基极驱动电路可对GTR实现较理想的基极电流优化驱动和自身保护。它采用标准的双列DIP-16封装，对GTR基极正向驱动能力为0.5A，反向驱动能力为−3A，也可以通过外接晶体管扩大驱动能力，不需要隔离环节。UAA4002可对被驱动的GTR实现过流保护、退饱和保护、最小导通的时间限制、最大导通的时间限制、正反向驱动电源电压监控以及自身过热保护。

UAA4002内部功能框图如图1-15所示。各引脚的功能如下：

① 反向基极电流IB2输出端。

② 负电源端（−5V）。

③ 输出脉冲封锁端，为“1”则封锁输出信号，为“0”则解除封锁。

④ 输入的选择端，为“1”选择电平输入，为“0”选择脉冲输入。

⑤ 驱动信号输入端。

⑥ 由R−接负电源，该引脚通过一个电阻与负电源相接。当负电源的电压欠压时可起保护作用；若该引脚接地，则无此保护作用。

⑦ 通过电阻RV的阻值决定最小导通时间ton(min)=0.06RV(μs)（式中RV的单位为kΩ），实际中ton(min)可在1～12μs之间调节。

⑧ 通过电容C V接地，最大导通时间to n(ma x)=2RV·CV(μs)（式中RV的单位为k Ω，CV的单位为μF）；若该引脚接地，则不限制导通时间。

⑨ 接地端。

⑩ 由RVD接地，输出相对输入电压前沿延迟量TVD=0.05RVD(μs（) 式中RVD的单位为kΩ），调节范围为1～12μs。

⑪ 由RSVD接地，完成退饱和保护。所谓退饱和保护，是指GTR一般工作在开关状态，当基极驱动电流不足或负载电流过大时，GTR会退出饱和而进入放大区，管压降会明显增加。此引脚的功能就是，当GTR出现退饱和时，切除GTR的驱动信号，关断GTR。RSVD上的电压URSVD=10RSVD/RV(V)，当从⑬脚引入的管压降UCE1＞URSVD时，退饱和保护动作；若⑪脚接负电源，则无退饱和保护。

⑫ 过电流保护端，接GTR发射极的电流互感器。若电流值大于设定值，则过流保护动作，关断GTR；若该引脚接地，则无过流保护功能。

⑬ 通过抗饱和二极管接到GTR的集电极。

⑭ 正电源端（10～15V）。

⑮ 输出级电源输入端，由R接正电源。调节R的阻值大小可改变正向基极驱动电流IB1。

⑯ 正向基极电流IB1输出端。

图1-16是由UAA4002作为驱动的开关电路实例，其容量为8A/400V，采用电平控制方式，最小导通时间为2.8μs。由于UAA4002 的驱动容易扩展，因而可通过外接晶体管驱动各种型号和容量的GTR，也可以驱动功率MOSFET。

2）GTR的保护电路

GTR作为一种大功率电力器件，常工作于大电流、高电压的场合。为了使GTR组成的系统能够安全可靠地正常运行，必须采取有效措施对GTR实施保护。一般来说，GTR保护分为过电压保护、过电流保护、电流变化率di/dt限制和电压变化率du/dt限制等。

（1）GTR的过电压保护及di/dt、du/dt的限制。

在电感性负载的开关装置中，GTR在开通和关断过程中的某一时刻，可能会出现集电极电压和电流同时达到最大值的情况，这时GTR的瞬时开关损耗最大。若其工作点超出器件的安全工作区SOA，则极易产生二次击穿而使GTR损坏。缓冲电路可以使GTR在导通中的集电极电流缓升，避免了GTR同时承受高电压、大电流。另外，缓冲电路也可以使GTR的集电极电压变化率du/dt和集电极电流变化率di/dt得到有效的抑制，防止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏GTR。

图1-17是一种缓冲电路。在GTR关断过程中，流过负载RL的电流通过电感LS、二极管VDS给电容CS充电。因为CS上的电压不能突变，这就使GTR在关断过程中电压缓慢上升，避免关断过程初期GTR中电流下降不多时电压就升到最大值的情况，同时也使电压上升率du/dt被限制。在GTR开通过程中，一方面CS经RS、LS和GTR回路放电，减小了GTR所承受的较大的电流上升率di/dt；另一方面，负载电流经电感L S后受到缓冲，也就避免了开通过程中GTR同时承受大电流和高电压的情形。

值得注意的是，缓冲电路之所以能减小GTR的开关损耗，是因为它把GTR开关损耗转移到缓冲电路内并消耗在电阻RS上，但这会使装置的效率降低。

（2）GTR的过电流保护。

缓冲电路很好地解决了GTR的电压上升率、电流上升率限制及过电压保护等问题，下面讨论过电流保护问题。

过电流分为过载和短路两种情况。GTR允许的过载时间较长，一般在数毫秒内，而允许的短路时间极短，一般在若干微秒内。由于时间极短，不能采用快速熔断器来保护，因此必须采取正确的保护措施，将电流限制在过载能力的限度内，以达到过载和短路保护的目的。一般做法是：利用参数状态识别对单个器件进行自适应保护；利用互锁办法对桥臂中的两个器件进行保护；利用常规的办法对电力电子装置进行最终保护。上述三种办法中，单独使用任何一种办法都不能进行有效保护，只有综合应用才能实现全方位的保护。下面对前两种方法加以介绍。

① GTR的UCE识别法。负载过电流或基极驱动电流不足都会导致GTR退出饱和区而进入放大区，管压降明显增加。可用图1-18所示的识别保护电路检测GTR管压降并与基准值Ur比较，当管压降UCE＞Ur时就使驱动管VT截止，切除GTR的驱动信号，关断过流的GTR。Ur的大小取决于需要保护电路动作时的负载电流大小。Ur的值通常由它所对应的额定负载电流值确定。由于GTR在脱离饱和区时UCE变化较大，因此过载保护效果很好，它可使GTR在几微秒之内封锁驱动电流，关断GTR。

② GTR桥臂互锁保护法。若一个桥臂上的两个GTR控制信号重叠或开关器件本身延时过长，则会造成桥臂短路。为了避免桥臂短路，可采用互锁保护法，即一个GTR关断后，另一个才导通。采用桥臂的互锁保护，不但能提高可靠性，而且可以改进系统的动态性能，提高系统的工作效率。图1-19 所示为GTR桥臂互锁保护的示意图，这种互锁控制是通过“与”门来实现的，当A为高电平时，驱动GTRA导通，其发射极输出低电平将另一接口的“与”门封锁，则GTRB关断。如何判别GTR是否关断是互锁保护的关键问题。分析表明，只要GTR的B-E间已建立足够大的反向电压UBE，GTR一定被关断（如ESM6045D管子的UBE=-4V时，实现可靠关断）。图1-20为UBE的识别电路。当GTR关断时，UBE=-4V，恒流源电路中发光二极管因流过稳定电流而发光，以此作为GTR的关断信号。

4．GTR的应用

GTR的应用已发展到晶闸管领域，与一般晶闸管比较，GTR有以下应用特点：①具有自关断能力。GTR因为有自关断能力，所以在逆变回路中不需要复杂的换流设备，与使用晶闸管相比，不但使主回路简洁、重量减轻、尺寸缩小，更重要的是不会出现换流失败的现象，提高了工作的可靠性。②能在较高频率下工作。GTR的工作频率比晶闸管高1～2个数量级，不但可获得晶闸管系统无法获得的优越性能，而且因频率提高还可降低磁性元件和电容器件的规格参数及体积重量。

当然，GTR也存在二次击穿的问题，裕量要考虑充足一些。

下面介绍几个简单的例子来说明GTR的应用。

1）直流传动

GTR在直流传动系统中的功能是直流电压变换，即斩波调压，如图1-21所示。所谓斩波调压，是利用电力电子开关器件将直流电变换成另一固定或大小可调的直流电，有时又称此为直流变换或开关型的DC/DC转换电路。图1-21为以GTR为开关器件构成的斩波调压电路，可实现电动机调速功能。

图中VD1～VD6构成一个三相桥式整流电路，获得一个稳定的直流电压。VD为续流二极管，作用是在GTR关断时为直流电动机提供电流通道，保证直流电动机的电枢电流连续。通过改变GTR基极输入脉冲的占空比来控制GTR的导通与关断时间，在直流电动机上就可获得电压可调的直流电。

由于GTR的斩波频率可高达2kHz左右，在该频率下，直流电动机电枢电感足以使电流平滑，这样电动机旋转的振动减小，温升比用晶闸管调压时低，从而能减小电动机的尺寸。因此，在200V以下、数十千瓦容量内，用GTR不但简便，而且效果好。

2）电源装置

目前大量使用的开关式稳压电源装置中，GTR的功能是斩波稳压，与以往的晶体管串联稳压或可控整流稳压相比，其优点是效率高，频率范围一般在音频之外，无噪声，反应快，滤波元件容量大大缩小。

3）逆变系统

与晶闸管逆变器相比，GTR关断控制方便、可靠，效率可提高10%，有利于节能。图1-22为电压型晶体管逆变器变频调速系统框图。

主电路由二极管VD1～VD6构成一个三相桥式整流电路，C1为滤波电容，以获得稳定的直流电压。由GTR（VTo）、L、C2和续流二极管组成斩波电路，VTo的基极电路输入可调的电压信号，则可在C2两端得到电压可调的直流电压。VT1～VT6是由6个GTR构成的三相逆变电路，每个GTR的集电极-发射极之间所接的二极管为其缓冲电路。

控制电路的工作情况为：阶跃速度指令信号Ug d经给定积分器变为斜坡信号，可以限制电动机启动与制动时的电枢电流。此速度指令一方面通过电压调节器、基极电路控制VTo基极的关断与导通时间，即控制斩波电路，使输出与逆变器频率成正比的电压，以保证在调速过程中实现恒磁通；另一方面，速度指令经电压频率变换器（振荡器）变成相应脉冲，再经环形分配器分频，使驱动信号每隔60°轮流加在各开关器件GTR（VT1～VT6）上，实现将直流电变成交流电的逆变过程。

当主电路出现过压或过流时，其检测电路输出信号，封锁逆变电路的输出脉冲（环形分配器），另外还立即封锁开关器件GTR（VTo）的基极电流，实现线路保护。

1.2.3 功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOS Field Effect Transistor，Power MOSFET）是20世纪70年代中后期开发的新型功率半导体器件，通常又称绝缘栅功率场效应晶体管，本书简称为P-MOSFET，用字母PM表示。功率场效应晶体管已发展出了多种结构形式，本节主要介绍目前使用最多的单极VDMOS、N沟道增强型PM，管子电气图形符号如图1-23（a）所示，它有三个引脚，S为源极，G为栅极，D为漏极。源极的金属电极将管子内的N区和P区连接在一起，相当于在源极（S）与漏极（D）之间形成了一个寄生二极管。管子截止时，源-漏极间的反向电流就在该二极管内流动。为了明确起见，又常将P-MOSFET的电气图形符号用图1-23（b）表示。如果是在变流电路中，P-MOSFET元件自身的寄生二极管流过反向大电流，可能会导致元件损坏。为避免电路中反向大电流流过P-MOSFET元件，在它的外面常并联一个快恢复二极管VD2，并且串联一个二极管VD1。因此，P-MOSFET元件在变流电路中的实际形式如图1-23（c）所示。

当栅-源极间的电压UGS≤0或0＜UGS≤UV（UV为开启电压，又称阈值电压，典型值为2～4 V）时，即使加上漏-源极电压UDS，也没有漏极电流ID出现，PM处于截止状态。

当UGS＞UV且UDS＞0时，会产生漏极电流ID，P M处于导通状态，且UD S越大，ID越大。另外，在相同的UDS下，UGS越大，ID越大。

综上所述，PM的漏极电流ID受控于栅-源电压UGS和漏-源电压UDS。

1．P-MOSFET的主要特性

P-MOSFET的特性主要体现在以下几个方面。

（1）输入阻抗高，属于纯容性元件，不需要直流电流驱动，属于电压控制型器件，可直接与数字逻辑集成电路连接，驱动电路简单。

（2）开关速度快，工作频率可达1MHz，比GTR器件快10倍，可实现高频斩波，且开关损耗小。

（3）P-MOSFET为负电流温度系数，即器件内的电流随温度的上升而下降的负反馈效应，因此热稳定性好，不存在二次击穿问题，安全工作区SOA较大。

2．P-MOSFET的栅极驱动电路

1）基本电路形式

在开关电路中，P-MOSFET有如图1-24所示的四种电路形式。

（1）共源极电路：相当于普通晶体管的共发射极电路，如图1-24（a）所示。

（2）共漏极电路：相当于射极跟随器，如图1-24（b）所示。

（3）转换开关电路：PM1与PM2轮流导通可构成半桥式逆变器，如图1-24（c）所示。

（4）交流开关电路：当PM 1、VD2导通时，负载为交流正向；当PM 2、VD1导通时，负载为交流负向，如图1-24（d）所示，它是交流调压电路的常用形式。

2）对栅极驱动电路的要求

对栅极驱动电路的要求如下。

（1）提供所需要的栅极控制电压，以保证P-MOSFET可靠导通。

（2）减小驱动电路的输入电阻以提高栅极充、放电速度，从而提高器件的开关速度。

（3）实现主电路与控制电路间的电隔离。

（4）因为P-MOSFET的工作频率和输入阻抗都较高，很容易被干扰，所以栅极驱动电路还应具有较强的抗干扰能力。

理想栅极控制电压波形如图1-25所示，提高栅极电压上升率duG/dt可缩短导通时间，但过高会使管子在导通时承受过高的电流冲击。正、负栅极电压的幅值UG1、UG2要小于器件规定的允许值。

3）驱动电路举例

如图1-26所示为一种数控逆变器，两个P-MOSFET的栅极不用任何接口电路，直接与数字逻辑驱动电路连接。该驱动电路是由两个“与非”门与RC组成的振荡电路。当门I输入高电平，电路启振时，在PM 1、PM2的栅极分别产生高、低电平，使它们轮流导通，将直流电压变为交流电压，实现逆变。振荡频率由电容值与电阻值决定。

如图1-27所示为直流斩波的驱动电路。斩波电源为UD，由不可控整流器获得，当管子PM2导通时，负载得电，输出电流Io＞0；当PM2关断时，VD4续流，直到Io=0，VD4断开，接着PM3导通。

由图1-27可见，由PM2、PM3组成的驱动电路实际上是推挽式和自举式电路的结合。当输入电压Ui=0时，PM1、PM3截止，电容C1沿VT2和C13（P-MOSFET栅极输入电容）放电，驱动PM2导通；当Ui＞0时，PM1导通，UF≈0，VT2截止，电容C13上的电荷沿VD2、PM1放电，VD2的导通保证了VT2可靠截止。PM2关断后，负载电流通过VD4续流，直到Io=0，PM3受正向电压而导通。

3．P-MOSFET的应用

P-MOSFET在电力变流技术中主要有以下应用：

（1）在开关稳压调压电源方面，使用P-MOSFET器件作为主开关功率器件可大幅度提高工作频率，工作频率一般为200～400kHz。频率提高可使开关电源的体积减小，重量减轻，成本降低，效率提高。目前，P-MOSFET器件已在数十千瓦的开关电源中使用，正逐步取代GTR。

（2）将P-MOSFET作为功率变换器件。由于P-MOSFET器件可直接用集成电路的逻辑信号驱动，而且开关速度快，工作频率高，大大改善了变换器的功能，因而在计算机接口电路中获得了广泛的应用。

（3）将P-MOSFEIT作为高频的主功率振荡、放大器件，在高频加热、超声波等设备中使用，具有高效、高频、简单可靠等优点。

1.2.4 绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）将MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的特点，又具有通态压降低、耐压高和承受电流大等优点，因此发展迅速，备受青睐，有取代MOSFET和GTR的趋势。由于它的等效结构具有晶体管模式，因此被称为绝缘栅双极型晶体管。IGBT于1982 年开始研制，1986年投产，是发展最快、使用最广泛的一种混合型器件。目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHz。IGBT综合了MOSFET、GTR和GTO的优点，其导通电阻是同一耐压规格的功率MOSFET的1/10，在电动机控制、中频电源、各种开关电源以及其他高速低损耗的中小功率领域中得到了广泛的应用。

1．IGBT的工作原理

IGBT的结构是在P-MOSFET结构的基础上做了相应的改善，相当于一个由P-MOSFET驱动的厚基区GTR，其简化等效电路如图1-28所示，电气图形符号如图1-29所示。IGBT有三个电极，分别是集电极C、发射极E和栅极G。在应用电路中，IGBT的C接电源正极，E接电源负极，它的导通和关断由栅极电压来控制。栅极施以正向电压时，P-MOSFET内形成沟道，为PNP型的晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。此时，从P区注入到N区的空穴（少数载流子）对N区进行电导调制，减小N区的电阻，使高耐压的IGBT也具有低的通态压降。在栅极上施以负电压时，P-OSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。由此可知，IGBT的导通原理与P-MOSFET相同。

2．IGBT的特性

IGBT的伏安特性（又称静态输出特性）如图1-30（a）所示，它反映了在一定的栅极-发射极电压UGE下器件的输出端电压UCE与集电极电流IC的关系。UGE越高，IC越大。与普通晶体管的伏安特性一样，IGBT的伏安特性分为截止区、有源放大区、饱和区和击穿区。值得注意的是，IGBT的反向电压承受能力很差，从曲线可知，其反向阻断电压UBM只有几十伏，因此限制了它在需要承受高反压场合的应用。

如图1-30（b）所示为IGBT的转移特性曲线。当UGE＞UGE(TH)（开启电压，一般为3～6V）时，IGBT开通，其输出电流IC与驱动电压UGE基本呈线性关系。当UGE＜UGE(TH)时，IGBT关断。

3．IGBT的栅极驱动电路及其保护

1）栅极驱动电路

由于IGBT的输入特性几乎和P-MOSFET相同，因此P-MOSFET的驱动电路同样适用于IGBT。

（1）采用脉冲变压器隔离的栅极驱动电路。

如图1-31所示为采用脉冲变压器隔离的栅极驱动电路。其工作原理是：控制脉冲Ui经晶体管VT放大后送到脉冲变压器，由脉冲变压器耦合，并经VDW、1 VDW2稳压限幅后驱动IGBT。脉冲变压器的一次侧绕组并联了续流二极管VD1，以防止VT中可能出现的过电压。R1限制栅极驱动电流的大小，R1两端并联了加速二极管VD2，以提高导通速度。

（2）推挽输出栅极驱动电路。

如图1-32所示为一种采用光耦合隔离的由VT1、VT2组成的推挽输出栅极驱动电路。当控制脉冲使光耦合关断时，光耦合输出低电平，使VT1截止，VT2导通，IGBT在VDW1的反偏作用下关断；当控制脉冲使光耦合导通时，光耦合输出高电平，VT1导通，VT2截止，经UC、C VT1、RG产生正向电压使IGBT开通。

（3）专用集成驱动电路。

EXB系列IGBT专用集成驱动模块是日本富士公司生产的，其性能好、可靠性高、体积小，得到了广泛的应用。EXB850、EXB85l是标准型，EXB840、EXB841是高速型，它们的内部框图如图1-33所示，各引脚功能参见表1-2和表1-3是其额定参数。

如图1-34所示为集成驱动器的应用电路，它能驱动150A/600V、75A/1200V、400A/600V和300A/1200V的IGBT模块。EXB850和EXB851的驱动延迟信号小于等于4μs，因此适用于频率高达10kHz的开关操作；EXB840 和EXB841 的驱动信号延迟小于等于1μs，适用于高达40kHz的开关操作。使用中IGBT的栅极都接有栅极电阻RG，表1-4和表1-5分别列出了EXB850和EXB840驱动电路中IGBT的栅极串联电阻RG的推荐阻值和电流损耗。

2）IGBT的保护

IGBT与P-MOSFET一样具有较高的输入阻抗，容易造成静电击穿，故在存放和测试时应采取防静电措施。

IGBT作为一种大功率电力电子器件，常用于大电流、高电压的场合，因此对其采取保护措施以防器件损坏就显得非常重要。

（1）过电路保护。

IGBT应用于电力电子系统中，对于正常过载（如电动机启动、滤波电容的合闸冲击以及负载的突变等），系统能自动调节和控制，不会损坏IGBT。对于不正常的短路故障，要实行过流保护，通常的做法是：切断栅极驱动信号。只要检测出过流信号，就在2μs内迅速撤除栅极信号。

当检测到过流故障信号时，立即将栅极电压降到某一电平，同时启动定时器，在定时器到达设置值之前，若故障消失，则栅极电压恢复正常工作值；若定时器到达设定值时故障仍未消除，则使栅极电压降低到零。这种保护方案要求保护电路在1～2μs内响应。

（2）过电压保护。

利用缓冲电路能对IGBT实行过电压抑制并限制过大的电压变化率du/dt。但由于IGBT的安全工作区宽，因而改变栅极串联电阻的大小可减弱IGBT对缓冲电路的要求。然而，由于IGBT控制峰值电流的能力比P-MOSFET强，因而在有些应用中可不用缓冲电路。

（3）过热保护。

利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时，主电路跳闸以实现过热保护。

4．IGBT的功率模块

一个IGBT基本单元是由IGBT芯片和快速二极管集成而成的，封装于同一管壳内，组成单管模块。如图1-35所示为单管模块的内部电路结构和输出特性。

两个基本单元组成双管模块，六个基本单元组成六管模块，如图1-36和图1-37所示，分别是它们的内部电路结构和输出特性。

表1-6和表1-7列出了东芝公司生产的MG25N2S1型25A/1000V的IGBT模块的额定值和电气特性。

近年来，各种功能完善的IGBT智能功率模块（简称IPM）层出不穷，它把驱动电路、保护电路和功率开关封装在一起组成模块，具有结构紧凑、安装方便、性能可靠等优点。如图1-38所示，是一种IGBT智能功率模块的内部电路框图，从该图中可知其保护电路直接控制驱动电路，一旦出现故障能迅速关断IGBT，保护功率模块。

1.2.5 静电感应晶体管（SIT）

静电感应晶体管（Static Induction Transistor，SIT），从20世纪70年代开始研制，发展到现在已成为系列化的电力电子器件。它是一种多子导电的单极型器件，具有输出功率大、输入阻抗高、开关特性好、热稳定性好以及抗辐射能力强等优点。现已商品化的SIT可工作在几百千赫，电流达300A，电压达2000V，已广泛用于高频感应加热设备（如200kHz、200kW的高频感应加热电源）中。SIT还适用于高音质音频放大器、大功率中频广播发射机、电视发射机以及空间技术等领域。

1．SIT的工作原理

SIT为三层结构，如图1-39（a）所示，其三个电极分别为栅极G、漏极D和源极S，其电气图形符号如图1-39（b）所示。SIT分N沟道（N-SIT）和P沟道（P-SIT）两种，箭头向外的为N-SIT，箭头向内的为P-SIT。

SIT为常开器件，以N-SIT为例，当栅极-源极电压UGS大于或等于零，漏极-源极电压UDS为正向电压时，两栅极之间的导电沟道使漏极-源极之间导通。当加上负栅极-源极电压UGS时，栅源间PN结产生耗尽层。随着负偏压UGS的增加，其耗尽层加宽，漏极-源极间导电沟道变窄。当UGS=UP（夹断电压）时，导电沟道被耗尽层夹断，SIT关断。

2．SIT的特性

如图1-40所示为N沟道SIT的静态伏安特性曲线。当漏极-源极电压UDS一定时，对应于漏极电流IDS为零的栅源电压称为夹断电压UP。在不同UDS下有不同的UP，漏极-源极电压UDS越大，UP的绝对值越大。SIT的漏极电流UDS不但受栅极电压UGS控制，同时还受漏极电压UDS控制，当栅极-源极电压UGS一定时，随着漏极-源极电压UDS的增加，漏极电流IDS也线性增加，其大小由SIT的通态电阻决定。因此，SIT不仅是一个开关元件，而且是一个性能良好的放大元件。

SIT的导电沟道短而宽，适用于高电压、大电流的场合。它的漏极电流具有负温度系数，可避免因温度升高而引起的恶性循环。

SIT的漏极电流通路上不存在PN结，一般不会发生热不稳定和二次击穿现象，其安全工作区范围较宽。它的开关速度相当快，适用高频场合。例如，2SK183U（60A/1500V）的导通和关断时间分别为ton=250ns，toff=300ns；TS300U（180A/1500V）为ton=359 ns，toff=350 ns。

SIT的栅极驱动电路比较简单。一般来说，关断SIT需要加数十伏的负栅极偏压（−UGS），使SIT导通可以加5～6V的正栅极偏压（+UGS），以降低器件的通态压降。

1.2.6 静电感应晶闸管

静电感应晶闸管（Static Induction Thyristor，SITH）属于双极型开关器件，自1972年开始研制并生产，发展至今已初步趋于成熟，有些已经商品化。与GTO相比，SITH有许多优点，如通态电阻小、通态压降低、开关速度快、损耗小、di/dt 及 du/dt 耐量高等，现有产品容量已达1000A/2500V、2200A/450V、400A/4500V，工作频率可达100kHz以上。它在直流调速系统、高频加热电源和开关电源等领域已发挥着重要作用，但制造工艺夏杂、成本高是阻碍其发展的重要因素。

1．SITH的工作原理

在SIT结构的基础上再增加一个P+层即形成了SITH的结构，如图1-41（a）所示。在P+层引出阳极A，原SIT的源极变为阴极K，其控制极仍为栅极G，如图1-41（b）所示为SITH的电气图形符号。

和SIT一样，SITH一般也为常开型器件。栅极开路，在阳极和阴极间加正向电压，有电流流过SITH，其特性与二极管正向特性相似。在栅极G和阴极K之间加负电压，G-K之间PN结反偏，在两个栅极区之间的导电沟道中出现耗尽层，A-K之间电流被夹断，SITH关断。这一过程与GTO的关断非常相似。栅极所加的负偏压越高，可关断的阴极电流也越大。

2．SITH的特性

如图1-42所示为SITH的静态伏安特性曲线。由该图可知，特性曲线的正向偏置部分与SIT相似。栅极负压（−UGK）可控制阳极电流关断。已关断的SITH，A-K之间只有很小的漏电流存在。SITH为场控少子器件，其动态特性比GTO优越。SITH的电导调制作用使它比SIT的通态电阻小、通态压降低、通态电流大，但因器件内有大量的存储电荷，所以它的关断时间比SIT要慢，工作频率要低。

近年来，还研制出了以下一些新型电力电子器件。

1）IGCT集成门极换流晶闸管

IGCT集成门极换流晶闸管是从GTO发展而来的，兼有IGBT和GTO的优点，特性很接近GTO，但开关频率却高于GTO，关断时间是GTO的1/10。它的容量可达5000A/6500V。

2）IEGT电子注入增强型栅极晶体管

IEGT电子注入增强型栅极晶体管是以IGBT为基础发展而来的，它融合了IGBT和GTO的优点，容量可达l000A/4500V。

3）MCT

MCT为MOS场控晶闸管，是美国GE公司发起研制的，目前仍处在研制阶段。GE公司制定了这种管子的六条性能指标，尤其对管子的动态特性做了非常严格的规定，有些参数指标就目前的加工工艺来看甚至是相互矛盾，根本不可实现的。但是一旦研制成功，MCT的应用前景将不可估量，会为电力电子领域带来一次技术上的革命。