微波射频电路设计与仿真100例
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实例3:毫米波低噪声放大器设计

毫米波低噪声放大器采用Avago公司的低噪声放大器芯片AMMC-6241,AMMC-6241是一款26~43GHz的低噪声放大器芯片,在Vd=3V,Id=60mA偏置下,26~37GHz频段内,可以提供2.7dB的噪声系数和20dB的增益,其主要指标如表2-2所示。

表2-2 AMMC-6241主要指标

AMMC -6241 RF Specifications(3,4,5)

TA=25℃, Vd=3.0V, Id(Q)=60mA, Zin=Z0=50Ω

毫米波低噪声放大器的设计关键在于选择毫米波频段的基板,并且用金丝键合工艺键合芯片和基板,设计过程如下。

(1)毫米波低噪声放大器基板选用Rogers RT5880双面板,板厚0.508mm,表面镀金。同时,电性能上将AMMC-6241背面用导电胶粘贴在基板上,芯片底部接地,芯片下放接地块,厚度保证片子和两端RF走线高度一致。芯片通过用84-1导电胶粘到底部接地块上。接地块与两边缝隙为0.2mm。

MMIC的焊接大小为4mil正方形,选用d=0.025mm,l=0.8mm,RS=0.03Ω的键合金丝。

键合金丝在自由空间的电感量L和电阻R可分别用下式计算。

式中,l为金丝长度;d为金丝直径;RS为金属表面电阻。

将MMIC中键合金丝参数d=0.025mm,l=0.8mm,RS=0.03Ω代入上式计算,得L=0.66nH,R=0.3Ω。此时键合金丝引入的插入损耗IL由下式给出。

IL=1+(R/Z0)+0.25(R/Z0)2+0.25(X/Z0)2

式中,X为感抗;Z0为特性阻抗。

经过计算,IL=0.66dB,双线搭接后IL≤0.33dB。这样搭接以后会直接造成整个系统0.4dB左右NF的恶化。

下面在ADS 2008中进行S参数带金丝仿真,选择毫米波LNA芯片AMMC-6241,下载其S2P文件,AMMC-6241的S2P文件如图2-15所示。

图2-15 AMMC-6241的S2P文件

(2)在原理图中选择Data Items-S2P模型,双击S2P模型,在File Name栏单击【Browse…】按钮,调用AMMC-6241文件;在File Type栏中选择文件类型为Touchstone,如图2-16所示。

图2-16 Data Items-S2P模型的调用

(3)建立S参数仿真模板,并添加StabFact控件。在Passive-RF Circuit中选择BONDW-Shape,单击BOND2为双金丝模型,选择双金丝键合方式搭建毫米波LNA仿真电路,如图2-17所示。

图2-17 毫米波LNA仿真电路

单击【Simulate】按钮进行仿真,并调整金丝间隙,得到毫米波低噪声放大器仿真结果,如图2-18所示。

图2-18 毫米波低噪声放大器仿真结果

(4)最后在基板上根据金丝键合图进行金丝键合,AMMC-6241金丝键合图如图2-19所示。

图2-19 AMMC-6241金丝键合图