1.5 同型异质结的主要公式

图1-3是突变nN异质结的平衡能带图，由于材料2的功函数φ2小于材料1的功函数φ1，因此材料2的费米能级EF2高于材料1的费米能级EF1，当形成异质结时必然有电子从材料2转移到材料1，直到材料2和材料1有统一的费米能级EF为止，结果材料1靠近界面处形成电子积累层，材料2靠近界面处形成电子耗尽层。

突变同型异质结和突变反型异质结相比有两个明显差别：

① 界面一侧是载流子积累层，另一侧是载流子耗尽层；

② 突变同型异质结的内建电势差要小得多。

这样处理界面两侧空间电荷区都是载流子耗尽层的Shockley理论[10]不再适用，求解nN结两侧的泊松方程得[11]

式（1-17）中的接触电势差为超越函数，由于材料1靠近界面处是电子积累层，而材料2靠近界面处是电子耗尽层，因此有（x0-x1）≪（x2-x0），VD1≪VD2。

当时，有

当有外加电压V时，只要将上述公式中的VD、VD1、VD2分别用（VD-V）、（VD1-V1）、（VD2-V2）来代替即可。

上面给出的是突变nN结的主要公式，只要将nN结公式中的施主杂质浓度ND改为受主杂质浓度NA，就得到适用于pP结的公式。

参考文献

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