5.2　内存的分类

内存可以按照读写方式的不同和工作方式的不同进行分类。按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两类。根据内存的工作方式，可将内存分为FPM RAM、EDO RAM、SDRAM和DDR SDRAM等几种。

1.按工作原理分类

按照内存的工作原理可将内存分为RAM（随机存储器）和ROM（只读存储器）两类。

RAM可分为两种，一种是DRAM，动态随机存取存储器，它具有集成度高、结构简单、功耗低以及生产成本低等特点，主要应用在计算机的主存储器中，如内存和显示内存（显存）；另—种是SRAM，静态随机存取存储器，其结构相对较复杂、造价高、速度快，一般SRAM多应用于高速小容量存储器中，如Cache。在RAM中存储的内容可通过指令随机读写访问，但是RAM中存储的数据在断电时会丢失，因而只能在运行时存储数据。

只读存储器（ROM）分为掩模只读存储器（MROM），只能读出事先所存数据的固态半导体存储器；可编程存储器（PROM），可以自行编程的ROM，但一旦设置完毕，不能修改；可擦写可编程存储器（EPROM）：该存储器可编程可修改，修改时通过紫外线等进行修改，可以多次使用。但随着修改次数的增多，其编写功能下降，须及时更换。

2.按工作方式分类

根据内存的工作方式，在一般情况下可将内存分为FPM DRAM、EDO DRAM、SDRAM、RDRAM、DDR SDRAM、DDR2和DDR3等几种。

FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页面模式内存）：是一种在486时期被普遍应用的内存。

EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，扩展数据输出内存）：与FPM相比其速度要快5％，这是因为EDO内设置了一个逻辑电路，借此EDO可以在上一个内存数据读取结束前将下一个数据读入内存。

以上此两种内存现以淘汰。

SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器）：采用双存储体结构，它的工作频率与CPU的外频一样。SDRAM内存的规格有PC 100、PC 133和PC 150等，其中的数字表示内存工作的时钟频率。SDRAM内存一般按照其工作频率来命名，除了作为内存存储芯片外还可以作为显卡的存储芯片。SDRAM在目前的零售市场中几乎难以看到，更多时候出现在二手市场。

RDRAM（动态随机存取内存）：是美国Rambus公司开发的一种动态随机存取内存芯片技术。基本RDRAM（Base RDRAM）在1995年推出，数据传输速度为600MB/s。协同RDRAM（Concurrent RDRAM）在1997年推出，数据传输速度提高到700MB/s。1998年，直接RDRAM（Direct RDRAM）再次把数据传输速度提高到1.6GB/s。协同RDRAM一直被用于电子游戏机，而直接RDRAM则被用于个人计算机。

DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器）：DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。

DDR2（Double Data Rate 2）：是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同是，虽然都采用了在时钟的上升/下降沿来进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即4bit数据读预取）。

DDR3：目前的主流内存，它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压（DDR3采用1.5V的电压，DDR2采用1.8V的电压），它是DDR2SDRAM的后继者。DDR3 SDRAM使用了SSTL 15的I/O接口，采用CSP、FBGA封装方式包装，更省电、传输效率更快。DDR3除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。图5-2所示为DDR3内存。

图5-2　DDR3内存