第2章 基本物理模型和仿真工具

在半导体器件的电学特性分析及辐射效应研究中，涉及的物理原理、需要求解的耦合微分方程很多，特别是在纳米尺度下，二维或三维复杂结构的求解更加困难，这就迫切需要借助功能强大的计算机仿真工具。TCAD （Technology Computer Aided Design）工具可以实现工艺、器件特性仿真等，精确预测仿真结果和电学特性等，受到越来越多的研究人员的青睐。

本章介绍常用的两种TCAD仿真平台Sentaurus和Silvaco，分析器件辐射效应仿真中采用的基本物理模型，包括基本方程、统计模型、复合模型、迁移率模型、碰撞电离模型、单粒子效应模型和量子效应模型等。