2.5　其他TSV技术路线

除了以上提到的两类主要TSV集成方案，还有一些其他方案，主要针对特殊应用进行特殊的TSV形状和流程设计。面向背照式图像传感器（BSI CIS）使用永久键合搭配TSV实现处理电路与CIS芯片的堆叠和互连。图2-13所示的是日本SONY公司针对图像传感器产品开发的三层堆叠产品剖面照片，三层分别是处理电路、存储层和传感层，层间通过穿透键合层的TSV实现互连［51］。通过图2-13可以推断，在加工过程中，底层逻辑电路作为永久衬底，通过氧化硅永久键合叠加DRAM或传感层之后，首先将衬底减薄，然后采用改进的大马士革工艺，实现两种深度TSV的加工。由于TSV可以穿透键合层，所以可以实现三层的有效通信。

图2-13　日本SONY公司开发的三层堆叠产品剖面照片［51］

另外一类特殊应用，采用双面刻蚀获得X形TSV，典型工艺流程如图2-14所示［52］。首先，通过刻蚀获得大尺寸深孔；然后，第二次刻蚀获得小尺寸深孔；进一步刻蚀，使得小尺寸一面的孔变成倾斜状；在衬底双面进行绝缘层、扩散阻挡层、种子层沉积，并进行双面铜电镀；最后，去除光刻胶并刻蚀种子层，实现X形TSV的制造。X形TSV加工结果如图2-15所示［52］。

针对不同的应用需求，新的材料和工艺在不断开发，未来还会出现更多的TSV集成方案，具体的TSV制造工艺也会有很多选择。

图2-14　X形TSV典型工艺流程［52］

图2-15　X形TSV加工结果［52］