硅基射频器件的建模与参数提取
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2.5.2 三维电感的等效电路模型

图2.36给出了由多个基本单元组成的3D多层片上电感的等效电路模型,其中Cio表示输入/输出焊盘之间的隔离电容,因为其值非常小(一般情况下小于1fF),对器件频率响应影响很小,因此可以忽略不计。Cox1Cox2表示金属层和硅衬底之间的氧化层电容,Csub1Csub2Rsub1Rsub2为描述衬底耦合的电容和电阻,电感Lvia用于描述第一层金属和第二层金属之间的通孔分布效应。本征基本单元由电感img、电阻img及耦合电容img构成,j是基本单元的序数。值得注意的是,由于不同金属层中的每个螺旋电感可以有不同的圈数,因此每个基本单元的模型参数可以不同。与传统模型相比,由于考虑了通孔和馈线分布效应的影响,因此该模型的拓扑结构是不对称的,馈线用于将测试端口连接到输入端口的最里层抽头。该等效电路模型可以分为内外两部分,即外部仅包含焊盘寄生效应和通孔电感,内部则包含n个基本单元(n为金属层数)。

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图2.36 3D多层片上电感等效电路模型

如果每一层电感都具有相同的圈数,则有:

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这样一来,图2.36所示的等效电路模型可以简化为图2.37,总的电感、电阻和电容分别为nLCnRCCC/n

相应的短路Y参数可以表示为:

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图2.37 简化的等效电路模型

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式中:

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