1.5 接触的形成与多层布线技术

制造工艺与1.4.2节相连接，在形成CMOS结构后，需要对各个器件连线，如图1-11所示。这就需要进行淀积层间绝缘膜（BPSG/LTO）、形成接触及进行多层布线等。为了形成良好的接触，必须对衬底上高浓度的 N+或 P+区及上面形成接触的金属材料进行退火以形成合金，这被称为合金化。为了防止接触金属在合金化时发生不必要的扩散，要采用扩散阻挡层。为了将各个元器件连线构成电路，必须采用层间绝缘膜的金属布线或多层布线。因此还要利用腐蚀或CMP等平坦化技术，在工艺允许的范围内使衬底表面平坦化。

图1-11 接触形成和金属互连的制程剖面结构（参阅附录B-[2，16]）