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CMOS集成电路闩锁效应
本书通过具体案例和大量彩色图片,对CMOS集成电路设计与制造中存在的闩锁效应(Latch-up)问题进行了详细介绍与分析。在介绍了CMOS集成电路寄生效应的基础上,先后对闩锁效应的原理、触发方式、测试方法、定性分析、改善措施和设计规则进行了详细讲解,随后给出了工程实例分析和寄生器件的ESD应用,为读者提供了一套理论与工程实践相结合的闩锁效应测试和改善方法。本书面向从事微电子、半导体与集成电路行业的
高教教材
10.4万字
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