1.2.2 器件封装

器件封装工艺近些年发展迅速。自电子封装问世后的约30年中，先后经历过三次重大的技术转变。第一次发生在20世纪70年代中期，由以DIP为代表的针脚插入型转变为以QFP为代表，由周边引出I/O端子为其主要特征的表面贴装型（SMT）；第二次发生在90年代初期，其标志是球栅阵列端子BGA型封装的出现；第三次发生在2000年，多芯片系统封装SIP的出现使微电子技术及封装技术进入后SoC和后SMT时代。20世纪90年代中期，由于CSP封装和积层式多层基板的引入，IC产业迈入高密度封装时代。目前的主要特征及发展趋势是：

①BGA封装正向增强型BGA、倒装片积层多层基板BGA、带载BGA等方向进展，以适应多端子、大芯片、薄型封装及高频信号的要求。

②CSP的球栅节距正由1.0mm向0.8mm、0.5mm，封装厚度正向0.5mm的方向进展，以适应超小型封装的要求。

③ 采用两芯片重叠，三芯片重叠，或多芯片叠装构成存储器模块等方式，以提高封装密度。

④ WLP（waferlevelpackage）的采用，将半导体技术与高密度封装技术有机地结合在一起。其特征是，在硅圆片状态下，在芯片表面再布线，并由树脂绝缘保护，构成球形凸点之后，再切片。由此可以获得与芯片尺寸大小一致的CSP封装，而且可以省略集成电路制造中的后续工序，它作为高密度封装形式而引起广泛重视。