1.1.3 离子束光刻技术

离子束光刻（Ion Beam Lithography，IBL）是在聚焦离子束技术基础上将原子离化，形成能量可控的离子束（10～200keV），再用离子束对抗蚀剂进行曝光。通过离子束中的能量、离子注入等引起抗蚀剂发生反应，改变抗蚀层的物理化学性质，形成可溶或更难溶区域，再通过显影等后续处理技术以获得微细线条的图形。离子在固体中的散射效应较小，可用较快地直接写入速度进行小于50nm的刻蚀，另外可以不用掩模、甚至不用抗蚀剂。这使IB技术作为理想的纳米器件加工技术，成为50nm以下刻蚀技术领域中人们关注的又一个焦点。目前仍需解决的关键技术有：获得稳定可靠的离子源，离子束曝光中的对准技术，掩模技术有待进一步提高，当使用负离子抗蚀剂时会出现抗蚀剂膨胀现象，从而影响分辨率[10]。另外，离子束的产生没有电子束容易，产能很低。