PN结隔离剖面结构的形成如图1-3所示。这是双极型集成电路中常用的隔离技术，它以轻掺杂P-型硅上外延N型层作为衬底。PN结隔离就是在外延层上进行局部的高浓度P型杂质扩散，直到外延层扩穿，形成一个个孤立的硅岛，隔离墙、衬底底部与外延层之间的 P+N结或PN结在反偏下具有很高的电阻，因此能起到隔离作用，在硅岛内制作器件。
图1-3 PN结隔离剖面结构的形成（参阅附录B-[2]）
